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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：4-XFLGA
- 技术参数：MOSFET 2N-CH
- 丰富的TI公司产品，TI芯片采购平台
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CSD85302LT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD85302LT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）共漏
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.8nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.7W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：4-XFLGA
- CSD85302LT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
