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- 制造厂商：TI
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
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EMB1412MY/NOPB 技术参数详情：
- 制造商产品型号：EMB1412MY/NOPB
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：低端
- 通道类型：单路
- 驱动器数：1
- 栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压-供电：3.5V ~ 14V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.3V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，7A
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：-
- 上升/下降时间（典型值）：14ns，12ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- EMB1412MY/NOPB优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
