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- 制造厂商：TI
- 类别封装：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：IC CMOS 1 CIRCUIT 8SOIC
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TLV271IDR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TLV271IDR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC CMOS 1 CIRCUIT 8SOIC
- 产品系列：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 放大器类型：CMOS
- 电路数：1
- 输出类型：满摆幅
- 压摆率：2.6V/μs
- 增益带宽积：3MHz
- -3db带宽：-
- 电流-输入偏置：1pA
- 电压-输入补偿：500μV
- 电流-供电：625μA
- 电流-输出/通道：8mA
- 电压-供电，单/双?(±)：2.7V ~ 16V，±1.35V ~ 8V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- TLV271IDR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
