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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器），封装：SC-79，SOD-523
- 技术参数：PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=
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1SV279,H3F 技术参数详情：
- 制造商产品型号：1SV279,H3F
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=
- 系列：二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
- 零件状态：有源
- 不同?Vr、F时电容：6.5pF @ 10V，1MHz
- 电容比：2.5
- 电容比条件：C2/C10
- 电压-峰值反向（最大值）：15V
- 二极管类型：单路
- 不同Vr、F时Q值：-
- 工作温度：125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SC-79，SOD-523
- 1SV279,H3F优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
