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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220NIS
- 技术参数：MOSFET P-CH TO220NIS
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2SJ438,MDKQ(J 技术参数详情：
- 制造商产品型号：2SJ438,MDKQ(J
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH TO220NIS
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：停产
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tj）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220NIS
- 2SJ438,MDKQ(J优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
