产品参考图片
- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，TO-220SM
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
- 丰富的东芝半导体公司产品，东芝半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
2SK1930(TE24L,Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：2SK1930(TE24L,Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：700pF @ 25V
- 功率 - 最大值：100W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：TO-220SM
- 2SK1930(TE24L,Q)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
