- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:单端场效应管,TO-220FL
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
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2SK2889(Q) 技术参数详情:
- 东芝半导体公司完整型号:2SK2889(Q)
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2040pF @ 10V
- 功率 - 最大值:100W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片
- 供应商器件封装:TO-220FL
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