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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：JFET结点场效应管，USV
- 技术参数：JFET DUAL N-CH USV
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2SK3320-GR(TE85L,F 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：2SK3320-GR(TE85L,F
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：JFET DUAL N-CH USV
- 系列：-
- FET 类型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
- 漏源极电压 (Vdss)：-
- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2.6mA @ 10V
- 漏极电流 (Id) - 最大值：-
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：200mV @ 100nA
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：5-TSSOP， SC-70-5， SOT-353
- 供应商器件封装：USV
- 功率 - 最大值：200mW
- 2SK3320-GR(TE85L,F优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
