- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220NIS
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
- 丰富的东芝半导体公司产品,东芝半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
2SK3662(F) 技术参数详情:
- 制造商产品型号:2SK3662(F)
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:U-MOSIII
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):35A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12.5 毫欧 @ 18A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):91nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5120pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):35W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220NIS
- 2SK3662(F)优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。