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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单二极管整流器，M-FLAT
- 技术参数：DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
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CMG03(TE12L,Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：CMG03(TE12L,Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
- 系列：-
- 二极管类型：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600V
- 电流 - 平均整流 (Io)：1A
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：880mV @ 1A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：10μA @ 400V
- 不同 Vr、F 时的电容：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOD-128
- 供应商器件封装：M-FLAT（2.4x3.8）
- 工作温度 - 结：150°C （最大）
- CMG03(TE12L,Q)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
