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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单齐纳二极管，M-FLAT
- 技术参数：DIODE ZENER 39V 1W MFLAT
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CMZB39(TE12L,Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：CMZB39(TE12L,Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：DIODE ZENER 39V 1W MFLAT
- 系列：-
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：39V
- 容差：±10%
- 功率 - 最大值：1W
- 阻抗（最大值）(Zzt)：35 欧姆
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：10μA @ 31.2V
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA
- 工作温度：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOD-128
- 供应商器件封装：M-FLAT（2.4x3.8）
- CMZB39(TE12L,Q)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
