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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
- 技术参数：IGBT 400V 1W 8-SOIC
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GT10G131(TE12L,Q) 技术参数详情：
- 制造商产品型号：GT10G131(TE12L,Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 400V 1W 8-SOIC
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：400V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
- 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 4V，200A
- 功率-最大值：1W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：3.1μs/2μs
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
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