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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术参数：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
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GT10J312(Q) 技术参数详情：
- 制造商产品型号：GT10J312(Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：20A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
- 功率-最大值：60W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：400ns/400ns
- 测试条件：300V，10A，100 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：200ns
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- GT10J312(Q)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
