- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:单路IGBT,TO-220SM
- 技术参数:IGBT 600V 15A 70W TO220SM
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GT15J311(SM,Q) 技术参数详情:
- 东芝半导体公司完整型号:GT15J311(SM,Q)
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:IGBT 600V 15A 70W TO220SM
- 系列:-
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A
- Current - Collector Pulsed (Icm):30A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,15A
- 功率 - 最大值:70W
- Switching Energy:-
- 输入类型:标准
- Gate Charge:-
- 25°C 时 Td(开/关)值:400ns/500ns
- Test Condition:300V, 15A, 75 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr):200ns
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:TO-220SM
- GT15J311(SM,Q)优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。