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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单路IGBT，TO-3P
- 技术参数：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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GT30J324(Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：GT30J324(Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：170W
- Switching Energy：1mJ （开）， 800μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：-
- 25°C 时 Td（开/关）值：90ns/300ns
- Test Condition：300V， 30A， 24 欧姆， 15V
- 反向恢复时间 (trr)：60ns
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-3P（N）
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