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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单路IGBT，TO-3P
- 技术参数：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
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GT60M303(Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：GT60M303(Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：900V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值：170W
- Switching Energy：-
- 输入类型：标准
- Gate Charge：-
- 25°C 时 Td（开/关）值：460ns/600ns
- Test Condition：-
- 反向恢复时间 (trr)：2.5μs
- 封装/外壳：TO-3PL
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-3P（LH）
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