- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列,封装:SC-74,SOT-457
- 技术参数:TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
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HN1B04F(TE85L,F) 技术参数详情:
- 制造商产品型号:HN1B04F(TE85L,F)
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
- 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 零件状态:停产
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
- 电压-集射极击穿(最大值):30V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA
- 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V
- 功率-最大值:300mW
- 频率-跃迁:200MHz
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SC-74,SOT-457
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