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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管阵列，US6
- 技术参数：TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
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HN1C03FU-B(TE85L,F 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：HN1C03FU-B(TE85L,F
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
- 系列：-
- 晶体管类型：2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：20V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：100mV @ 3mA，30mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：350 @ 4mA，2V
- 功率 - 最大值：200mW
- 频率 - 跃迁：30MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：US6
- HN1C03FU-B(TE85L,F优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
