产品参考图片
- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单路﹐预偏压式晶体管，VESM
- 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
- 丰富的东芝半导体公司产品，东芝半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
RN1113MFV(TPL3) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：RN1113MFV(TPL3)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：47k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁：-
- 功率 - 最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-723
- 供应商器件封装：VESM
- RN1113MFV(TPL3)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
