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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：SOT-723
- 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1119MFV,L3F 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RN1119MFV,L3F
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：1 kOhms
- 电阻器-发射极(R2)：-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 频率-跃迁：-
- 功率-最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-723
- RN1119MFV,L3F优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
