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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：SOT-563，SOT-666
- 技术参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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RN1970FE(TE85L,F) 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RN1970FE(TE85L,F)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：4.7 千欧
- 电阻器-发射极(R2)：-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 频率-跃迁：250MHz
- 功率-最大值：100mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RN1970FE(TE85L,F)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
