- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置,封装:SOT-723
- 技术参数:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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RN2131MFV,L3F 技术参数详情:
- 制造商产品型号:RN2131MFV,L3F
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 零件状态:有源
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器-基极(R1):100 kOhms
- 电阻器-发射极(R2):-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
- 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
- 频率-跃迁:-
- 功率-最大值:150mW
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-723
- RN2131MFV,L3F优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。