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- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置,封装:SOT-563,SOT-666
- 技术参数:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2970FE(TE85L,F) 技术参数详情:
- 制造商产品型号:RN2970FE(TE85L,F)
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
- 零件状态:停产
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器-基极(R1):4.7 千欧
- 电阻器-发射极(R2):10 千欧
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
- 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
- 频率-跃迁:200MHz
- 功率-最大值:100mW
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-563,SOT-666
- RN2970FE(TE85L,F)优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
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