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  • 制造厂商:东芝半导体
  • 类别封装:阵列﹐预偏压式晶体管,ES6
  • 技术参数:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN4909FE(TE85L,F) 技术参数详情:
  • 东芝半导体公司完整型号:RN4909FE(TE85L,F)
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列:-
  • 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):47k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200MHz
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:ES6
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