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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：阵列﹐预偏压式晶体管，ES6
- 技术参数：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN4909FE(TE85L,F) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：RN4909FE(TE85L,F)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 系列：-
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：47k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：22k
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁：200MHz
- 功率 - 最大值：100mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：ES6
- RN4909FE(TE85L,F)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
