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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，VESM
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
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SSM3J35MFV(TL3,T) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：SSM3J35MFV(TL3,T)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 50mA，4V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12.2pF @ 3V
- 功率 - 最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-723
- 供应商器件封装：VESM
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