- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-UDFNB(2x2)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
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SSM6K361NU,LF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SSM6K361NU,LF
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:U-MOSVIII-H
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):69 毫欧 @ 2A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.2nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):430pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
- 工作温度:150°C
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:6-UDFNB(2x2)
- SSM6K361NU,LF优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。