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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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SSM6L16FETE85LF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SSM6L16FETE85LF
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：不適用於新設計
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 10mA，4V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 0.1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9.3pF @ 3V
- 功率-最大值：150mW
- 工作温度：150°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-563，SOT-666
- SSM6L16FETE85LF优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
