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- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SOT-563,SOT-666
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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SSM6L35FE,LM 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SSM6L35FE,LM
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):180mA,100mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 50mA,4V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 3V
- 功率-最大值:150mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-563,SOT-666
- SSM6L35FE,LM优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
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