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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：场效应管阵列，ES6
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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SSM6L35FE(TE85L,F) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：SSM6L35FE(TE85L,F)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- 系列：-
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180mA，100mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 3V
- 功率 - 最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
- SSM6L35FE(TE85L,F)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
