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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：FET - 阵列，SOT-563
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
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SSM6N15FE(TE85L,F) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号: SSM6N15FE(TE85L,F)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
- 系列: -
- FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 欧姆 @ 10mA，4V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 7.8pF @ 3V
- 功率 - 最大值: 150mW
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装: ES6（1.6x1.6）
- SSM6N15FE(TE85L,F)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
