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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：场效应管阵列，ES6
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
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SSM6N37FE,LM(T 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：SSM6N37FE,LM(T
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：250mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12pF @ 10V
- 功率 - 最大值：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：ES6
- SSM6N37FE,LM(T优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
