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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
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SSM6N48FU,RF(D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SSM6N48FU,RF(D
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 欧姆 @ 10mA，4V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15.1pF @ 3V
- 功率-最大值：300mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- SSM6N48FU,RF(D优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
