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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：场效应管阵列，6-μDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
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SSM6N55NU,LF(T 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：SSM6N55NU,LF(T
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 4A， 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-μDFN（2x2）
- SSM6N55NU,LF(T优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
