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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：场效应管阵列，6-UDFN
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
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SSM6P49NU,LF(T 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：SSM6P49NU,LF(T
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
- 系列：-
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.74nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-UDFN （2x2）
- SSM6P49NU,LF(T优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
