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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：存储器，67-VFBGA
- 技术参数：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
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TH58BYG2S3HBAI6 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号: TH58BYG2S3HBAI6
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 功能总体简述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
- 系列: Benand
- 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
- 存储器类型: EEPROM - NAND
- 存储容量: 4G（512M x 8）
- 速度: 25ns
- 接口: 并联
- 电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V
- 工作温度: -40°C ~ 85°C
- 封装/外壳: 67-VFBGA
- 供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）
- TH58BYG2S3HBAI6优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
