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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：FET - 单，TO-220-3
- 技术参数：MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
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TJ11A10M3,S5Q(M 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号: TJ11A10M3,S5Q(M
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 130 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 69nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 3200pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 24W
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: TO-220-3 整包
- 供应商器件封装: TO-220SIS
- TJ11A10M3,S5Q(M优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
