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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247-4L
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
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TK040Z65Z,S1F 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TK040Z65Z,S1F
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：DTMOSVI
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：57A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 28.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.85mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：105nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6250pF @ 300V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：360W（Tc）
- 工作温度：150°C
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247-4L
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