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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DPAK+
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
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TK10S04K3L(T6L1,NQ 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TK10S04K3L(T6L1,NQ
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：U-MOSIV
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：410pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK+
- TK10S04K3L(T6L1,NQ优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
