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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
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TK12E60U,S1X(S 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：TK12E60U,S1X(S
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：720pF @ 10V
- 功率 - 最大值：144W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220-3
- TK12E60U,S1X(S优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
