- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:单端场效应管,TO-220SIS
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
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TK20A60U(STA4,Q,M) 技术参数详情:
- 东芝半导体公司完整型号:TK20A60U(STA4,Q,M)
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1470pF @ 10V
- 功率 - 最大值:45W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220SIS
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