- 制造厂商:东芝半导体
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I2PAK
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
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TK20C60W,S1VQ 技术参数详情:
- 制造商产品型号:TK20C60W,S1VQ
- 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:DTMOSIV
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):155 毫欧 @ 10A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):48nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1680pF @ 300V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):165W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:I2PAK
- TK20C60W,S1VQ优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。