产品参考图片
- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：4-DFN-EP（8x8）
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
- 丰富的东芝半导体公司产品，东芝半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
TK31V60W,LVQ 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TK31V60W,LVQ
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：DTMOSIV
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：30.8A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：98 毫欧 @ 15.4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：86nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 300V
- FET功能：超级结
- 功率耗散（最大值）：240W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：4-DFN-EP（8x8）
- TK31V60W,LVQ优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
