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  • 制造厂商:东芝半导体
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220SIS
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
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TK6A60W,S4VX 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:TK6A60W,S4VX
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:DTMOSIV
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 3.1A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.7V @ 310μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):390pF @ 300V
  • FET功能:超级结
  • 功率耗散(最大值):30W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220SIS
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