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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，VS-6
- 技术参数：MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A
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TPC6103(TE85L,F,M) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：TPC6103(TE85L,F,M)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 2.8A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1520pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：VS-6（2.9x2.8）
- TPC6103(TE85L,F,M)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
