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  • 制造厂商:东芝半导体
  • 类别封装:单端场效应管,8-SOP
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
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TPC8037-H(TE12L,Q) 技术参数详情:
  • 东芝半导体公司完整型号:TPC8037-H(TE12L,Q)
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.4 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2150pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)
  • TPC8037-H(TE12L,Q)优势代理货源,国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
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