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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，8-SOP
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
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TPC8117(TE12L,Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：TPC8117(TE12L,Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.9 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4600pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
- TPC8117(TE12L,Q)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
