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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，8-SOP
- 技术参数：MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B
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TPC8A03-H(TE12LQM) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：TPC8A03-H(TE12LQM)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3430pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
- TPC8A03-H(TE12LQM)优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
