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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：单端场效应管，8-TSON高级
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON-ADV
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TPCC8105,LQ(O 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：TPCC8105,LQ(O
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON-ADV
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：23A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.8 毫欧 @ 11.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：76nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3240pF @ 10V
- 功率 - 最大值：30W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：8-TSON高级
- TPCC8105,LQ(O优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
