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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOP Advance（5x5）
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
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TPH1R712MD,L1Q 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPH1R712MD,L1Q
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：U-MOSVI
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：182nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10900pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：78W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SOP Advance（5x5）
- TPH1R712MD,L1Q优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
