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- 制造厂商：东芝半导体
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
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TPN22006NH,LQ 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPN22006NH,LQ
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：U-MOSVIII-H
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：710pF @ 30V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），18W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
- TPN22006NH,LQ优势代理货源，国内领先的东芝半导体芯片采购服务平台。
